Российские ученые провели исследование материалов для производства перспективных фотонных микросхем. Об этом «Газете.Ru» сообщили в Министерстве науки и высшего образования РФ.

Абсолютное большинство современных электронных устройств использует микросхемы, способные обрабатывать электрический сигнал. Именно на электрических сигналах и микросхемах строится логика процессоров и работа множества других устройств, в том числе сенсоров. Многие специалисты считают, что конкуренцию традиционным микросхемам могут составить фотонные интегральные схемы, где вместо тока используется свет или ИК-излучение. Для управления оптическими сигналами требуются не кремниевые полупроводники, а компоненты другого типа. В данный момент ученые активно занимаются подбором подходящих на эту роль материалов и исследуют их свойства, эти области науки называется фотоникой и радиофотоникой.

Специалисты ЛЭТИ исследовали характеристики компонентов фотонных интегральных схем на основе арсенида галия и нитрида кремния — самых перспективных материалов для радиофотоники. Выяснилось, что при передаче сигналов с помощью этих полупроводников возникает меньше помех. Кроме того, технология их получения может быть применена для серийного производства.